黃大偉理財研究室

半導體製程技術別-製程節點(Process node)

半導體製程技術以製程節點(Process node)區分，分為..40nm, 28nm,10nm, 7nm, 3nm, 2nm.節點(process node) -28nm,10nm, 7nm, 3nm, 2nm.. , 而幾nm 指的是電晶體的線寛。

半導體製程別 vs 晶粒大小(chip die size) 比較

製程節點(process node)愈小，電晶體的線寬愈小，晶粒就愈小。

半導體製程別 vs 耗電(Chip Total Power Consumption )

製程節點(process node)愈小，驅動電壓也會跟著減少（由1.2V降低至0.7V），達到節能目的。

以55nm的功耗當成比較的基準值１，16nm為0.07，代表16nm相對於 55nm節省了93%的耗電。

◉ 16nm的功耗為0.07，10nm為0.056，代表10nm相對於 16nm節省了20%的耗電。

◉ 16nm的功耗為0.07，7nm為0.034，代表7nm相對於 16nm節省了51.43%的耗電。

◉ 16nm的功耗為0.07，5nm為0.022，代表5nm相對於 16nm節省了68.57%的耗電。